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参数资料
| 型号： | IRFZ34E |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFZ34E |
IRFZ34E
Package Outline
TO-220AB Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .87 (.1 1 3 )
2 .62 (.1 0 3 )
10.5 4 (.4 15 )
10.2 9 (.4 05 )
3 .7 8 (.14 9 )
3 .5 4 (.13 9 )
-A-
4 .69 (.1 85 )
4 .20 (.1 65 )
-B-
1 .3 2 (.05 2 )
1 .2 2 (.04 8 )
6.4 7 (.2 55 )
1 5.24 (.60 0 )
1 4.84 (.58 4 )
4
6.1 0 (.2 40 )
1.15 (.04 5)
M IN
L EA D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
1
2
3
2 - D R A IN
3 - S O U RC E
4 - D R A IN
14 .09 (.5 5 5 )
13 .47 (.5 3 0 )
4 .06 (.16 0 )
3 .55 (.14 0 )
0.69 (.02 7 )
3X
1 .40 (.0 55 )
1 .15 (.0 45 )
0.93 (.03 7 )
3X
0 .36 (.0 14 )
M
B A M
0.5 5 (.0 2 2)
3X
0.4 6 (.0 1 8)
2 .92 (.11 5 )
N O TE S :
2 .5 4 (.1 0 0)
2X
2 .64 (.10 4 )
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5 M , 1 9 82.
2 C O N TR O L LING D IM E N SIO N : INC H
3 O U TL IN E C O N F O R M S TO J E D E C O UT LIN E T O -2 2 0 -A B .
4 H EA T S IN K & LE A D M E A S UR E M E NT S D O N O T IN C L U D E B U R R S .
Part Marking Information
TO-220AB
E XA M P L E : TH IS IS A N IR F 1 0 1 0
W ITH A S S E M B L Y
LOT CODE 9B1M
IN T E R N A T IO N A L
R E C TIF IE R
LO G O
IR F 1 0 1 0
9 24 6
A
PART NUMBER
ASSEMBLY
LOT CODE
9B 1 M
D A TE C O D E
(YYW W )
YY = YE A R
W W = W EEK
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 11/97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ34NL | MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 |
| IRFZ34STRLPBF | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| IRFZ44ESTRL | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| IRFZ44E | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ34EHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFZ34EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ34LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ34N | 功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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