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参数资料
| 型号： | IRFZ34NL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFZ34NL |
IRFZ34NS/L
1200
1000
V GS
C iss
C rss
C is s C oss
=
=
=
=
0V, f = 1 MH z
C gs + C gd , C ds SH O R TED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 1 6A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
800
C o ss
12
600
8
400
C rs s
200
4
FO R TES T C IR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
SEE FIG U R E 13
30
40
A
1000
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
10μ s
T J = 175 °C
10
T J = 25 °C
10
100μ s
1m s
T C = 25 °C
1
V G S = 0 V
A
1
T J = 17 5°C
S ing le Pulse
10m s
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
10
100
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ34STRLPBF | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| IRFZ44ESTRL | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| IRFZ44E | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| IRFZ46NSTRL | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ34NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ34NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR ((NW)) |
| IRFZ34NS | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ34NSPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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