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参数资料
| 型号： | IRG4BAC50S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
| 中文描述： | 绝缘门双极晶体管（IGBTs）（标准速度绝缘栅型双极型晶体管） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BAC50S |
Parameter
Max.
600
70
41
140
140
± 20
20
200
78
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4BAC50S
Standard Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PROVISIONAL
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
TBD
Max.
0.64
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
1
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
E
C
G
Features
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies (< 1kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry Super-220 (TO-273AA) package
Generation 4 IGBT offers highest efficiency
Optimized for specific application conditions
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.28V
@V
GE
= 15V, I
C
= 41A
1/19/2000
Super-220
(TO-273AA)
N-channel
PD - 93771
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4C30W-S | |
| IRG4CC10KB | |
| IRG4CC10SB | |
| IRG4CC10UB | |
| IRG4CC20FB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4BAC50U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRG4BAC50W | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRG4BAC50W-S | 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4BAC50W-SPBF | 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4BC10K | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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