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参数资料
| 型号： | IRG4BAC50S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
| 中文描述： | 绝缘门双极晶体管（IGBTs）（标准速度绝缘栅型双极型晶体管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BAC50S |
IRG4BAC50S
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 41A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
82
I = A
41
I = A
20.5
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
8.5
9.0
9.5
10.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 41A
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