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参数资料
型号： IRG4BAC50S
厂商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管)
中文描述： 绝缘门双极晶体管（IGBTs）（标准速度绝缘栅型双极型晶体管）
文件页数： 3/8页
文件大小： 135K
代理商： IRG4BAC50S
IRG4BAC50S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T sink
Power D issipation = 4 0W
J
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
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