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参数资料
| 型号： | IRG4BC20MD-S |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | IRG4BC20MD-S |
IRG4BC20MD-SPbF
10
www.irf.com
D2Pak Part Marking Information
D2Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
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Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
| IRGDDN400M12 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRHF597130 | 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHF7110SCV | 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHM57064SCS | 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4BC20MDS_07 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4BC20MD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4BC20MD-STRL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20S | 功能描述:IGBT STD 600V 19A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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