- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360952 > IRG4BC20W-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRG4BC20W-STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展|第13A一（c）|至263AB |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC20W-STRR |
IRG4BAC50S
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
20.5
I = A
41
I = A
82
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30S-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
| IRG4C30W-S | |
| IRG4CC10KB | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4BC30 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRG4BC30F | 功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4BC30FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
| IRG4BC30FD1 | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4BC30FD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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