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参数资料
| 型号： | IRG4BC30S-STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 18A条一（c）|至263AB |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC30S-STRL |
IRG4BAC50S
www.irf.com
7
480V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 480V
R
L
=
Fig. 14b
-
Switching Loss
Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30S-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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