型号: | IRG4BC30S-STRR |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
中文描述: | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 18A条一(c)|至263AB |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 135K |
代理商: | IRG4BC30S-STRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(标准速度绝缘栅型双极型晶体管) |
IRG4C30W-S | |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4BC30UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
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IRG4BC30UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4BC30UD-S | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D |