参数资料
型号: IRG4BC30S-STRR
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 18A条一(c)|至263AB
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代理商: IRG4BC30S-STRR
IRG4BAC50S
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
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PDF描述
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参数描述
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IRG4BC30UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30UDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRG4BC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC30UD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D