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参数资料
| 型号： | IRG4CH40SB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展|芯片 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CH40SB |
IRG4BC30W-S
4
www.irf.com
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
25
50
T , Case Tem perature (°C)
75
100
125
150
M
V = 15V
A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
24
I = A
12
I = A
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRG4CH50SB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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