型号: | IRG4PF50WD |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
中文描述: | 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管 |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 644K |
代理商: | IRG4PF50WD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4PH30KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
IRG4PH30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
IRG4PH30K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
IRG4PH30KPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT |
IRG4PH40KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PF50WPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PG40FD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
IRG4PG40KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |