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参数资料
| 型号： | IRG4PH40FD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 12/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PH40FD |
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HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
FAILURE RATE @
90°C & 60% UCL
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2007 0
2088 0
DEV-HRS
@ 90°C
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPF30F
IRGPC50FD2
9642
9237
150
150
20
20
20
20
2.46E+05
2.56E+05
3724
3579
TOTALS
40
4095 0
5.02E+05
1825
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
GATE
BIAS
QTY
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
2213 0
2039 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC40U
IRGPC40U
IRG4PC50U
IRG4PC40UD2
9538
9620
9721
9643
150
150
150
150
20
20
20
20
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
2.71E+05
2.50E+05
3722
3722
3377
3665
TOTALS
80
8268 0
1.01E+06
904
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 12 of 35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PF50WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRG4PH40K-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 30.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR |
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