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参数资料
| 型号： | IRG4RC10K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 2.39V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 5.0a中） |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10K |
IRG4RC10KD
www.irf.com
9
Vg
GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
480V
4 X I
C
@25
°
C
0 - 480V
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
N OTES:
1 DIMEN SIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMEN SIONS SHOW N ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLECTOR
3 - EMITTER
4 - COLLECTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC10S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) |
| IRG4RC10SD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
| IRG4RC10UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| IRG4RC10KDTR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| IRG4RC10KDTRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4RC10KD | 功能描述:DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4RC10KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4RC10KDTR | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| IRG4RC10KDTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI |
| IRG4RC10KDTRPBF | 功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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