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参数资料
| 型号： | IRG4RC10KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 2.39V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 5.0a中） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10KD |
IRG4RC10KD
6
www.irf.com
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRG4RC10KDTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI |
| IRG4RC10KDTRPBF | 功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRG4RC10KDTRR | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI |
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