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参数资料
| 型号： | IRG4RC10KDTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 5A条一（c）|至252AA |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10KDTRR |
IRG4RC10KD
www.irf.com
5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
10
I = A
5
I = A
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
20
R , Gate Resistance
40
60
80
100
0.30
0.32
0.34
0.36
0.38
0.40
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 5.0A
(
)
1
10
100
0
100
200
300
400
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
4
Q , Total Gate Charge (nC)
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 5.0A
CC
C
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