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参数资料
| 型号： | IRG4RC20F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 1.82V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 12A条） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | IRG4RC20F |
Parameter
Max.
600
22
12
44
44
± 20
5.0
66
26
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4RC20F
Fast Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
E
C
G
Features
Fast: Optimized for medium operating
frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation IGBTs.
Industry standard TO-252AA package
Combines very low V
CE(on)
with low switching
losses
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency
Optimized for specific application conditions
High power density and current rating
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.82V
@V
GE
= 15V, I
C
= 12A
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
2/22/01
D-Pak
TO-252AA
°C/W
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.9
50
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Weight
0.3 (0.01)
g (oz)
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
N-channel
PD - 91731A
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PDF描述 |
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