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参数资料
| 型号： | IRG4RC20F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 1.82V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 12A条） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | IRG4RC20F |
IRG4RC20F
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.66
0.67
0.68
0.70
0.71
0.72
T
T = 25 C
I = 9.0A
V = 480V
V = 15V
GE
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
C
C
V
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
V
= 400V
= 12A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
V = 480V
R = 50Ohm
V = 15V
GE
I = A
I = A
12
I = A
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