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参数资料
| 型号： | IRG4RC20F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 1.82V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 12A条） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | IRG4RC20F |
IRG4RC20F
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
6
8
10
12
14
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
5μs PULSE WIDTH
V = 50V
CC
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0
10
20
30
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 15W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1
2
3
4
5
CE
V
C
I
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
V
20μs PULSE WIDTH
= 15V
GE
A
T = 25°C
J
T = 150°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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