参数资料
型号: IRG4RC20F
厂商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述: 绝缘栅双极晶体管(VCES和\u003d 600V电压的Vce(on)典型.\u003d 1.82V,@和VGE \u003d 15V的,集成电路\u003d 12A条)
文件页数: 8/8页
文件大小: 264K
代理商: IRG4RC20F
IRG4RC20F
8
www.irf.com
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFO RMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4RC20FPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTR 功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
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IRG4RC20FTRLPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V FAST 1-8 KHZ SINGLE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTRPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube