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参数资料
| 型号： | IRG4RC20F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 1.82V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 12A条） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | IRG4RC20F |
IRG4RC20F
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
80 us PULSE WIDTH
V = 15V
GE
I = A
4.5
I = A
9
I = A
18
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
25
M
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D = t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
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PDF描述 |
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