参数资料
型号: IRG4RC10KDTRR
厂商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 5A条一(c)|至252AA
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文件大小: 190K
代理商: IRG4RC10KDTRR
IRG4RC10KD
6
www.irf.com
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述
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参数描述
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IRG4RC10KTR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KTRL 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KTRR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A RIGHT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D-PAK