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参数资料
| 型号： | IRG4RC10UD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 2.15V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 5.0a中） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10UD |
IRG4RC10KD
www.irf.com
7
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt,
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
d
Q
I
t
20
25
30
35
40
45
50
100
1000
dif
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1000
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
di /dt - (A/μs)
0
40
80
120
160
200
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
100
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述 |
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| IRG4RC10UDTRRP | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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