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参数资料
| 型号： | IRGB30B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRGB30B60K |
IRGB/S/SL30B60K
6
www.irf.com
Fig. 15
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 30A; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
Fig. 12
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V,
R
G
= 10
; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
IC (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EOFF
EON
0
20
40
60
80
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
E
EON
EOFF
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
10000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGS30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| IRGB4045DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4055PBF | Advanced Trench IGBT Technology |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4045DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4055PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
| IRGB4056DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4059DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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