- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGB30B60K (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGB30B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRGB30B60K |
IRGB/S/SL30B60K
www.irf.com
9
Fig. WF3- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
-0.20
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
Time(μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
15.90
16.00
16.10
16.20
16.30
Time (μs)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
tr
Eon Loss
0
-5.00
100
200
300
400
500
600
0.00
5.00
10.00
15.00
time (μS)
V
C
0
50
100
150
200
250
300
I
C
V
CE
I
CE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGS30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| IRGB4045DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4055PBF | Advanced Trench IGBT Technology |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4045DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4055PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
| IRGB4056DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4059DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。