型号: | IRGB440U |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A) |
中文描述: | 绝缘栅双极晶体管(VCES和\u003d的500V,@和VGE \u003d 15V的,集成电路\u003d 22A条) |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 252K |
代理商: | IRGB440U |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRGB4B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGB5B120KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRGB4B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGB4B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB4B60KD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGB4B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGB5B120KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |