- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGB440U (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGB440U |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d的500V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 22A条） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | IRGB440U |
C-592
IRGB440U
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.0
1.0
2.0
3.0
0
10
20
30
40
50
T
I , Collector-to-Em itter Current (A)
R = 10
T = 150°C
V = 400V
V = 15V
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Em itter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
Refer to Section D for the following:
Appendix A: Section D - page D-3
Fig. 13a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 13b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 14a - Switching Loss Test Circuit
Fig. 14b - Switching Loss Waveform
Package Outline 1
- JEDEC Outline TO-220 AB
Section D - page D-12
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB4B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGB5B120KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB4B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGB4B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4B60KD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB4B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB5B120KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。