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参数资料
| 型号： | IRGB4B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | IRGB4B60K |
IRGB/S/SL4B60K
4
www.irf.com
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
0
2
4
6
8
10
12
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
2
4
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VCE (V)
0
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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