型号: | IRGB4B60K |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
中文描述: | 绝缘栅双极晶体管 |
文件页数: | 6/13页 |
文件大小: | 306K |
代理商: | IRGB4B60K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRGB5B120KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGBC40S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRGB4B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB4B60KD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGB4B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGB5B120KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB5B120KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |