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参数资料
| 型号： | IRGI4065PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等离子沟道IGBT |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRGI4065PBF |
4
www.irf.com
Fig 7. Maximum Collector Current vs. Case Temperature
Fig 8. Typical Repetitive Peak Current vs. Case Temperature
Fig 10. Typical E
PULSE
vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 9. Typical E
PULSE
vs. Collector Current
Fig 11. E
PULSE
vs. Temperature
Fig 12. Forrward Bias Safe Operating Area
25
50
75
100
125
150
TJ, Temperature (oC)
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
VCC = 240V
L = 220nH
t = 1μs half sine
C= 0.4μF
C= 0.3μF
C= 0.2μF
150 160 170 180 190 200 210 220 230 240
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
160
170
180
190
200
210
220
230
IC, Peak Collector Current (A)
400
500
600
700
800
900
1000
E
VCC = 240V
L = 220nH
C = variable
100°C
25°C
0
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
IC
1
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY VCE(on)
10μsec
100μsec
25
50
75
100
125
150
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
R
ton= 2μs
Duty cycle <= 0.10
Half Sine Wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGI4085PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGIB10B60KD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB7B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGI4085-111PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4085PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk |
| IRGI4086PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4090PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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