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参数资料
| 型号： | IRGI4065PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等离子沟道IGBT |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRGI4065PBF |
www.irf.com
7
TO-220AB Full-Pak package is not recommended for Surface Mount Application.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed for the Industrial
market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
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02/06
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TO-220 Full-Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-220 Full-Pak Part Marking Information
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGI4085PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGIB10B60KD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIB7B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGI4085-111PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4085PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk |
| IRGI4086PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4090PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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