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参数资料
| 型号： | IRGI4065PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等离子沟道IGBT |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRGI4065PBF |
www.irf.com
5
Fig 13. Typical Capacitance vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 14. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Emitter Voltage
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
50
100
150
200
250
300
VCE, Collector-toEmitter-Voltage(V)
10
100
1000
10000
100000
C
Cies
Coes
Cres
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgd, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
5
10
15
20
25
VG
IC = 25A
VCE = 240V
VCE = 200V
VCE = 150V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.533 0.000938
1.163 0.140118
1.504 2.477
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGI4085PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGIB10B60KD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRGIB7B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGI4085-111PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4085PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk |
| IRGI4086PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGI4090PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIB10B60KD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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