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参数资料
| 型号： | IRGPF50 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | IRGPF50 |
C-270
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGPF50F
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120
140 160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
I = 56A
I = 28A
I = 14A
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPF50F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速绝缘栅型双极型晶体管) |
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| IRGPH40KD2 | |
| IRGPH50K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247AC |
| IRGPH50KD2 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGPF50F | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRGPH20M | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPH20S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A) |
| IRGPH30MD2 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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