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参数资料
| 型号： | IRGS30B60K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRGS30B60K |
IRGB/S/SL30B60K
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
0
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2
3
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VCE (V)
0
10
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50
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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IC
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGSL30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGS30B60KPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR |
| IRGS30B60KTRRP | 功能描述:IGBT 模块 600V 30AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRGS4045DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 IR IGBT 600V 6A, COPAK-D2PAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS4045DPDF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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