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参数资料
| 型号： | IRGSL15B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | IRGSL15B60KD |
IRG/B/S/SL15B60KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 300μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 300μs
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 300μs
0
1
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3
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VCE (V)
0
10
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100
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VF (V)
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IF
-40°C
25°C
150°C
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VCE (V)
0
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20
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40
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80
90
100
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB20B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGB30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGSL4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGSL4B60K | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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