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参数资料
型号： IRGSL15B60KD
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 7/16页
文件大小： 322K
代理商： IRGSL15B60KD
IRG/B/S/SL15B60KD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 15A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 15A; T
J
= 150°C
0
10
20
30
40
50
IF (A)
5
10
15
20
25
30
35
IR
RG = 10
RG =47
RG =68
RG =100
RG =22
0
20
40
60
80
100
120
RG (
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
25
30
35
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
QR
22
47
100
10
30A
10A
15A
40A
68
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PDF描述
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IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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