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参数资料
| 型号： | IRHF8230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
| 中文描述： | 重复性雪崩和dv /受好评的HEXFET胸苷？？晶体管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | IRHF8230 |
IRHF7230, IRHF8230,JANSR-,JANSH-,2N7262 Devices
www.irf.com
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Radiation Characterstics
Fig 16.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 17.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads (Si)
Fig 14.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 15.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 0 Vdc, V
DS
= 160 Vdc
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PDF描述 |
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