- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377521 > IRHF9230 (International Rectifier) HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHF9230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | IRHF9230 |
IRHF9230, JANSR2N7390 Device
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-4.0A
1
10
100
5.0
5.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF93130 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHG58110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG53110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG54110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
| IRHG57110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHF93130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF93230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHG110 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 950MA I(D) | DIP |
| IRHG3110 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG3214 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。