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参数资料
| 型号： | IRHM58Z60 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 30V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 30V的N通道通孔抗辐射功率MOSFET（30V的，通孔安装抗辐射功率?沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | IRHM58Z60 |
IRHM57Z60
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 150 C
T = 25 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
35A
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