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参数资料
| 型号： | IRHM8250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（对254AA） |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | IRHM8250 |
10
www.irf.com
IRHM7250, JANSR2N7269
Pre-Irradiation
Fig 26a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 26b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 27.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 26.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM8250U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHM8260D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8260U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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