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参数资料
| 型号： | IRHM8250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（对254AA） |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | IRHM8250 |
4
www.irf.com
IRHM7250, JANSR2N7269
Pre-Irradiation
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM8250U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHM8260D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8260U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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