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参数资料
| 型号： | IRHN7250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | IRHN7250 |
www.irf.com
5
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Post-Irradiation
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 9.
High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During
1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8a.
Gate Stress of V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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| IRHN7450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7450SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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