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参数资料
| 型号： | IRHN8230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 9.0,9.0） |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | IRHN8230 |
Figure 29c. – Maximum Avalanche Energy Vs. Starting
Junction Temperature
IRHN7230, IRHN8230 Devices
Pre-Radiation
Figure 30. – Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
PEAK IL = 9A
VDD = 50V
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