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参数资料
| 型号： | IRHN8450 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | IRHN8450 |
IRHN7450, IRHN8450, JANSR-, JANSH-, 2N7270U Devices
4
www.irf.com
Post-Irradiation
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHN9150SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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