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参数资料
| 型号： | IRHN9250 |
| 英文描述： | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package |
| 中文描述： | - 200伏100kRad高可靠性单P沟道工贸硬化的贴片MOSFET的- 1封装 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRHN9250 |
IRHN9250, JANSR2N7423U
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
-
D
V
GS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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