- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377522 > IRHN9250 (International Rectifier) HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHN9250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHN9250 |
www.irf.com
7
IRHN9250, IRHN93250 Devices
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
-6.3A
-8.9A
-14A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN93250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHNA3160 | Surface Mount Power MOSFET(表贴型功率MOS场效应管) |
| IRHNA4160 | Surface Mount Power MOSFET(表贴型功率MOS场效应管) |
| IRHNA53160 | Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(表贴型抗辐射功率MOS场效应管) |
| IRHNA57160 | Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(表贴型抗辐射功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN93130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN93150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN93230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN93250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA3064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。