- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377522 > IRHNA597260 (International Rectifier) RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHNA597260 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET表面贴装系统（SMD - 2） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHNA597260 |
IRHNA597260
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
V
GS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
10
20
30
40
-
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA63160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL |
| IRHNA67160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL |
| IRHNA7Z60 | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| IRHNA8Z60 | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| IRHNA9260 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNA597260SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA597260SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA597Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 56A 3SMD-2 - Rail/Tube |
| IRHNA597Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA597Z60SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。