- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21633 > IRL1104STRL (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL1104STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 104A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3445pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL1104S/L
D 2 Pak Tape and Reel
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IRE CTIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 (.1 6 1 )
3 .9 0 (.1 5 3 )
1 .60 (.06 3)
1 .50 (.05 9)
1 1 .6 0 (.4 5 7 )
0 .3 68 (.0 1 4 5 )
0 .3 42 (.0 1 3 5 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1 .4 0 (.4 4 9 )
1 5 .4 2 (.6 0 9 )
1 5 .2 2 (.6 0 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TR L
1 .75 (.06 9 )
10 .9 0 (.42 9)
10 .7 0 (.42 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .10 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .90 (.62 6 )
F E E D D IRE C TIO N
NO TES :
33 0.00
(1 4.1 73)
MA X.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079)
2 3.9 0 (.9 41)
4
60.00 (2.3 62)
MIN .
3 0.40 (1.1 97)
MAX.
1. C O M F O R M S TO E IA -4 18.
2. C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : M ILL IM ET ER .
3. D IM E N S IO N ME A S U R E D @ H U B .
4. IN C LU D E S F LA N G E D IS TO R T IO N @ O U T E R E D G E .
26 .40 (1.03 9)
24 .40 (.961 )
3
4
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 10/98
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1004STRL | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| IRFZ24NSTRL | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK |
| ECH-U1C104JB5 | CAP FILM 0.1UF 16VDC 1210 |
| T491B684K035AT | CAP TANT 0.68UF 35V 10% 1411 |
| ECW-U4123V17 | CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL1104STRLPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL1104STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL119F10 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
| IRL119F20 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
| IRL119F40 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。