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参数资料
| 型号： | IRL1104STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 104A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3445pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL1104S/L
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
100
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
10
2.7V
10
2.7V
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 25 C
1000
°
2.5
2.0
I D = 104A
T J = 175 ° C
100
1.5
1.0
10
0.5
T J , Junction Temperature ( C)
1
2.0
25
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
4.0 6.0 8.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
10.0
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS = 10V
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1004STRL | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| IRFZ24NSTRL | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK |
| ECH-U1C104JB5 | CAP FILM 0.1UF 16VDC 1210 |
| T491B684K035AT | CAP TANT 0.68UF 35V 10% 1411 |
| ECW-U4123V17 | CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL1104STRLPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL1104STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL119F10 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
| IRL119F20 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
| IRL119F40 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
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