参数资料
型号: IRL1104STRL
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 104A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3445pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL1104S/L
800
I D
1 5V
600
TOP
BOTTOM
25A
44A
62A
VD S
L
D R IV E R
RG
1 5 0V
tp
D .U .T
IA S
0.0 1 ?
+
- VD D
A
400
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
V (B R )D SS
25
50     75     100    125    150
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
175
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Current Regulator
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
4.5 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
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PDF描述
IRL1004STRL MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IRFZ24NSTRL MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
ECH-U1C104JB5 CAP FILM 0.1UF 16VDC 1210
T491B684K035AT CAP TANT 0.68UF 35V 10% 1411
ECW-U4123V17 CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL1104STRLPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1104STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL119F10 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk
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