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参数资料
| 型号： | IRL1404S |
| 英文描述： | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 单40V的N沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | IRL1404S |
IRL1404S/IRL1404L
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.038
–––
–––
–––
0.004
0.0059
1.0
–––
93
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
–––
270
–––
38
–––
130
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C,
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 95A
V
GS
= 4.3V, I
D
= 40A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 95A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 95A
V
DS
= 32V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6
V
DD
= 20V
I
D
= 95A
R
G
= 2.5
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.25
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/
°
C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
3.0
–––
20
250
200
-200
140
48
60
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6600
–––
1700
–––
350
6700
–––
1500
–––
1500
–––
pF
–––
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 95A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 95A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
63
170
1.3
94
250
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
160
640
A
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